日本人分析一个多月：华为麒麟9000S是14nm芯片，不是7nm芯片

众所周知，自惠普Mate60第四部推出以来，配置的ROM就变沦为全球科技领域数据分析的近期同好和科技领域舆论。

之前国人、美国人、琉球人、朝鲜人和欧洲人都在数据分析这个ROM的来历和它的私底下。

但一个多月即使如此了，这款ROM即便如此是个无解。谁制造的、多少基体、何时何地生产线的，都是无解团。

其之前，Tech便是通过显微顺利完变成电显影，发现电晶体能量密度为98MTr/mm2，而台积电的7nm为97MTr/mm2，三星7nmROM的电晶体能量密度为95MTr/mm2。

所以Tech便是并不认为是7nm，但也有人不服气，说因为这款ROM的耐用性可以和摩托罗拉骁龙888的5nmROM媲美，所以是5nm……

据悉，有东洋舆论数据分析得出结论，它即便如此是14nm技艺ROM，但采用了特别结构来提高电晶体能量密度。

其实我们其实，从14nm FinFET开始，ROM的基体技艺并不是ROM的关键常量，不太可能达到了7nm。

以台积电的7nm为例。在台积电的7nm技艺之前，其带入式太阳能电池节距（CPP）为54nm。

CPP 由栅极阔度 (Lg)、带入间隔件尺寸 (Tsp) 和带入宽度 (Wc) 合组。电晶体能量密度为97MTr/mm2，其之前很难一个总和7nm。

所以从14nm开始，这个技艺就未必要继续了。只要它的耐用性提高了，或者功耗降低了，或者电晶体能量密度提高了，只要达到一定水平，就可以并不认为基体技术技艺夺得了进步。这就是等效过程的源自。

手机ROM天梯图

比如我原本采用的是14nm技艺，但经过技术升级后，技艺常量必需基本，但生产线出来的ROM的电晶体却上升了50%。还是14nm技艺吗？你可以把它现实变成14nm，也可以把它现实变成7nm。这实际上就是7nm的诞生。

所以东洋并不认为是14nm技艺并很难歪，因为它的技艺常量其实和14nm欠不多。但你并不认为是7nm也很难歪，因为电晶体能量密度量化不太可能达到了7nm。有人并不认为是5nm，这也没歪。这是蔑视的，因为耐用性达到了5nm。可见，转回等效方法后，假定ROM是多少基体是一个非常复杂的问题。这依赖于台积电如何叫法它。唯独很难确实的假定规格。与先前不同的是，栅距是多少，也就是多少基体，是一一相关联的。现在很难这样的相关联父子关系，这依赖于电子元件如何吹制。

最简单的例证就是Intel将其10nm技艺统称Intel 7，意为大概7nm技艺，将7nm技艺统称Intel 4，大概4nm技艺。这是很好的例证。

所以多少基体并不关键。我们只必需其实耐用性不比摩托罗拉骁龙5nmROM欠就可以了。那么就由大家来并不其实吧。你怎么并不认为？